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Basic Insight NAND Flash 메모리: 동작특성(개정판)
출판사 : 홍릉과학출판사
저 자 : 진종문
ISBN : 9791156004509
발행일 : 2016-8
도서종류 : 국내도서
발행언어 : 한국어
페이지수 : 593
판매가격 : 39,000원
판매여부 : 재고확인요망
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   Basic Insight NAND Flash 메모리: 동작특성(개정판) 목차
Chapter 01 에너지 양자화와 Fermi 확률함수

Chapter 02 Carrier 생성과 Energy Level

Chapter 03 NAND Flash의 기본 소자, MOSFET 특성

Chapter 04 NAND Flash의 Architecture

Chapter 05 Threshold Voltage와 제품 다변화

Chapter 06 Program, Electron Injection

Chapter 07 Erasure, NAND의 고유특성

Chapter 08 Read, Cell 상태의 구분 및 출력

Chapter 09 NAND의 신뢰성과 불량 Mechanism

Chapter 10 NAND Density 확장 방향


Index
후기
Appendix
   도서 상세설명   

NAND Flash 메모리: 동작특성은 NAND Flash의 기본 동작 및 동작으로서 나타나는 특성을 알아보는 책으로,

NAND Flash를 처음 접하는 학생들과 NAND Flash 메모리를 응용한 시스템을 다루는 기술자들에게 유용한 정보를 제공한다.

이 책은 NAND Flash의 기초이자 핵심 3대동작인 Program, Erasure, Read 동작을 기초로 하여, NAND Flash와 연결된 반도체 물리 현상에서부터,

NAND의 Architecture 및NAND의 성공여부를 결정하는 문턱전압(Vth : Threshold Voltage)이 형성하는 확률적 분포에 대한 중점사항들도

쉽게 이해할 수 있도록 기본 원리를 파악할 수 있는 흐름으로 설명하였다.

특히, 반도체의 동작을 시작하는 문턱전압인 Vth를 이용하여 SLC에서 같은 면적의 Hardware로 Multi bit인 MLC와 TLC로의 용량 확장 기술은

NAND Flash의 핵심 중의 핵심이자 혁신적인 발상이다. 휘발성 메모리의 Write 동작과는 다른 방식으로 정보를 저장하는 Non-volatile의 Program 동작 방법도

오랜 기간 동안의 고안이 담겨있는 진화의 산물이며, Erasure와 Read 동작 방법또한 Program 동작에 버금가는 중요하고 획기적인 발상들이 숨어있다.

이 책의 도처에 담겨져 있는 NAND Flash의 수많은 발명자들의 발자취를 따라가며 NAND만의 독특한 아이디어들을 쉽게 접하고,

독자들이 희열을 느낄 수 있도록 각각의 이론과 방법들이 단계별로 전개되어 있다.

또한 이 책 속에는, Technology가 고도화 되면서 당면하게 되는 NAND의 기술적/신뢰성 한계를 극복하기 위하여

구조/동작/간섭/Data 보관/ Data 반복적 사용상의 문제들을 해결해 온 개발들의 끊임없는 진화가 펼쳐져 있다.

또한 제품의 발전 측면으로는, 구조적 변화인 3D NAND와 특성적 변화인 차세대 제품 개발을 소개하였으며,

향후 NAND를 포함한 반도체 사업의 미래 방향도 제시하고 있다. NAND의 기초부터 차례로 Story형식으로

NAND 이론이 성숙되어 가는 모습을 담아, NAND란 제품의 속성을 전반적으로 이해할 수 있도록 영역을 넓게 그리고 기술적 깊이는 얇게 구성하였다.

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